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1200℃雙管滑動(dòng)式單溫區/多溫區CVD系統

更新時(shí)間: 2024-10-28

訪(fǎng)問(wèn)次數: 6802

產(chǎn)品報價(jià):

產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 產(chǎn)品用途:此款CVD系統是專(zhuān)門(mén)為在金屬箔上生長(cháng)薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究,通過(guò)滑動(dòng)爐實(shí)現快速加熱和冷卻。

詳細資料:

1200℃雙管滑動(dòng)式單溫區/多溫區CVD系統產(chǎn)品用途:

此款CVD系統是專(zhuān)門(mén)為在金屬箔上生長(cháng)薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔

電極方面的研究,通過(guò)滑動(dòng)爐實(shí)現快速加熱和冷卻。

 

產(chǎn)品組成:

CVD系統配置:

1、1200度開(kāi)啟式真空管式爐(可選配單溫區及雙溫區)。

2、滑動(dòng)系統分為手動(dòng)、電動(dòng)滑動(dòng),并配有風(fēng)冷系統。

3、內外雙石英管,采用真空可通氣氛雙法蘭特殊連接。

4、多路氣體流量控制系統(質(zhì)子流量控制器和浮子流量控制器)

5、真空系統(可選配中真空或高真空)

 

1200℃雙管滑動(dòng)式單溫區/多溫區CVD系統產(chǎn)品特點(diǎn):

1、控制電路選用模糊PID程控技術(shù),該技術(shù)控溫精度高,熱慣性小,溫度不過(guò)沖,性能可靠,操作簡(jiǎn)單。

2、中真空系統具有真空度上下限自動(dòng)控制功能,高真空系統采用高壓強,耐沖擊分子泵,防止意外漏氣造成分子泵損壞,延長(cháng)系統使用壽命。

3、(電動(dòng))滑動(dòng)系統采用溫度控制器自動(dòng)控制爐體移動(dòng),等程序完成,爐體按設定的速度滑動(dòng),因有滑動(dòng)限位功能,爐體不會(huì )發(fā)生碰撞,待樣品露出爐體后,通過(guò)風(fēng)冷系統快速降溫。

4、雙管真空密封法蘭,反應氣體可以在內外管之間發(fā)生反應,冷卻氣體可通過(guò)內管,從而使內管外壁溫度降低。

產(chǎn)品圖片:

 

技術(shù)參數:

系統名稱(chēng)

1200℃雙管滑動(dòng)式單/多溫區CVD系統

系統型號

CVD-12II6SH-3Z/G

CVD-12III9SH-3Z/G

極限溫度

1200℃

加熱區長(cháng)度

610mm

940mm

恒溫區長(cháng)度

400mm

700mm

溫區

雙溫區

三溫區

石英管管徑

內管:Φ80mm   外管:Φ100mm

額定功率

4.8Kw

7.2Kw

額定電壓

220V

380V(三相)

滑動(dòng)距離

485mm

650mm

滑動(dòng)方式

手動(dòng)滑動(dòng)/自動(dòng)滑動(dòng)(由溫度控制器自動(dòng)控制移動(dòng),當程序完成,爐子按設定的速度滑動(dòng))

溫度控制

國產(chǎn)程序控溫系統50段程序控溫;

控制精度

±1℃

爐管極限工作溫度

<1200℃

雙管法蘭連接

采用雙法蘭雙卡箍連接可擴展多功能,并且分別獨立對內管和外管進(jìn)行真空和氣體流量控制.密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術(shù),在密封法蘭與管外壁間形成了密封,在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效,該密封法蘭的安裝只需在*使用設備的時(shí)候安裝

氣體控制方式

質(zhì)量流量計

氣路數量

3路(可根據具體需要選配氣路數量)

流量范圍

0-500sccm(標準毫升/分,可選配)氮氣標定

精度

±1%F.S

響應時(shí)間

≤4sec

工作溫度

5-45℃

工作壓力

進(jìn)氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力)

系統連接方式

采用KF快速連接波紋管、高真空手動(dòng)擋板閥及數顯真空測量?jì)x

規格

高真空

系統真空范圍

1x10-3Pa-1x10-1Pa

真空泵

真空分子泵理論極限真空度
5x10-6Pa抽氣速率1600L/S
額定電壓220V 功率2Kw

爐體外形尺寸

480×770×605mm

410×1100×605mm

系統外形尺寸

530×1440×750mm(不含高真空)

系統總重量

340Kg

 

 
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